91国产丝袜在线放竹菊网_亚洲国产美女福利直播一区二区_日韩午夜无码福利视_老牛蜜臀av色欲av浪潮av_四虎影视永久免费观看_成人午夜精品一二三区_欧美日韩精品素人在线中文_国产白丝在线视频

聯系方式
電話:010-62918073
傳真:010-62918279
聯系人:何守勝
24小時服務熱線:13811015437
聯系QQ:826247915
郵箱:bjgltd@163.com
網址:http://www.sorbentcn.cn
產品展示
當前所在位置:固力通達 >> 三菱IGBT模塊 >> 產品詳情
點擊圖片放大
  • 名稱:CM400DX-24S1
  • 進口原裝三菱IGBT模塊 CM400DX-24S1 KUX
  • 產品詳細說明

    三菱CM450DX-24S1與英飛凌FF450R12ME4比對

    CM450DX-24S1為三菱6.1代NX系列450A/1200V IGBT模塊,主要應用在100KW光伏逆變器,電機驅動,電源等領域,CM450DX-24S1性能特點如下:
    (1)采用第6代IGBT硅片技術(CSTBT),實現更低損耗;
    (2)硅片結溫可高達175℃;
    (3)硅片運行溫度- 高可達150℃;
    (4)封裝與三菱第6代CM450DX-24S及英飛凌FF450R12ME4兼容,且有性價比優勢;
    (5)內部集成NTC測溫電阻;
    (6)VisoI = 4000Vrms,其他對應的型號絕緣耐壓為2500Vrms;
    (7)低損耗,低EMI噪聲,高可靠性,高運行結溫;
    (8)該系列不同容量模塊(CM225DX-24S1,CM300DX-24S1,CM600DX-24S1)封裝相同。
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S及FF450R12ME4封裝形式如下圖:
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S及FF450R12ME4封裝形式
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S以及FF450R12ME4 450/1200V產品性能對比如下,分別對靜態特性及開關特性進行詳細說明,由下面的分析可以得出CM450DX-24S1的整體性能與FF450R12ME4趨勢接近,參數指標更有優勢。
    1.靜態特性對比
    CM450DX-24S1 CM450DX-24S FF450R12ME4 備注
    Ic 450A
    (Tc=107°C)
    450A
    (Tc=119°C)
    450A
    (Tc=100°C)
    集電極直流電流能力
    CM450DX-24S- 強
    Ptot 2775W 3405W 2250W - 大允許功耗:
    Ptot(Tc)=(Tvj-Tc)/Rthjc
    VISOL 4000V 2500V 2500V CM450DX-24S1絕緣耐壓- 高
    VCEsat 1.7V 1.7V 1.75V FF450R12ME4飽和壓降
    在相同條件下- 高,通態損耗大
    450A/1200V產品靜態特性對比見下圖:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,競爭對手A: FF450R12ME4
    測試條件: Vge=+15V, Tj=125℃
     
    IGBT模塊靜態特性
    由上圖可看出在某一集電極工作電流下,6.1代的CM450DX-24S1的飽和壓降與CM450DX-24S一致,比FF450R12ME4略低,從而通態損耗更低。CM450DX-24S1的二極管采用更快恢復特性二極管,反向恢復損耗低,通態壓降稍高。

    三菱CM450DX-24S1與英飛凌FF450R12ME4比對(2)


    2.開關特性對比
    CM450DX-24S1 CM450DX-24S FF450R12ME4 備注
    Cres/
    Cies
    0.75nF(MAX)/
    45nF(MAX)
    0.75nF(MAX)/
    45nF(MAX)
    1.55nF(TYP)/
    28nF(TYP)
    FF450R12ME4的密勒電容及
    與輸入電容的比值- 大,
    容易形成集電極dv/dt反饋造成寄生
    導通,Cres/Cies應該越小越好
    QG 953nC 1050nC 3.3uC FF450R12ME4需要的門極驅動
    電荷- 多,驅動電流及功耗- 高
    Eon 35.8mJ 54.9mJ 28.5mJ CM450DX-24S開通損耗- 高
    Eoff 52.4mJ 48.0mJ 61.5mJ FF450R12ME4關斷損耗- 高
    Err 27.9mJ 32.4mJ 55mJ FF450R12ME4二極管
    反向恢復損耗- 高
    Rth(j-c)
    IGBT
    54K/KW 44K/KW 66K/KW FF450R12ME4 IGBT結到殼熱阻
    - 大,結殼溫差大,不利于散熱
    Rth(j-c)
    Diode
    86K/KW 78K/KW 100K/KW FF450R12ME4 二極管結到殼熱阻
    - 大,結殼溫差大,不利于散熱
    450A/1200V產品開關特性對比如下圖:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,競爭對手A: FF450R12ME4
    IGBT模塊開關特性
    由上圖曲線可看出CM450DX-24S1的通態損耗、反向恢復損耗- 低,關斷損耗介于兩者之間。
    450A/1200V產品開關波形對比(CM450DX-24S vs CM450DX-24S1)
    測試條件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃
    IGBT通態損耗關斷損耗曲線
     450A/1200V產品二極管反向恢復波形對比見下圖 (6th vs 6.1th):
    測試條件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃
    二極管反向恢復波形對比
    450A/1200V IGBT模塊功率損耗及結溫對比見下圖:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,競爭對手A: FF450R12ME4
    Vcc=600V, Io=225Ap, fc=5kHz, P.F=0.8, M=1.0, fo=60Hz, Tjmax=125℃, Ts=90℃
    IGBT模塊功率損耗及結溫對比
    由上圖可以得出三菱6.1代CM450DX-24S1的整體損耗- 低。
    綜上,CM450DX-24S1相對于其他兩種,綜合性能- 優,在現有的系統中無需對結構進行調整即可與其他型號進行替換使用。
    版權所有 北京固力通達機電設備有限公司
    備案號:京ICP備19055055號  京公網安備11010802033104號